NEWS
紧密跟随国家产业指导及技术发展
科学家揭示量子电路中引起退相干的表面自旋的结构和化学性质浏览数:1559  发布时间:2022-05-24 16:50

英国国家物理实验室(NPL)科学家与物理化学专家合作,利用最先进的电子顺磁共振(EPR)技术来研究与超导量子电路相关的材料特性,其结果发表在《科学进展》杂志上。


近年来,超导量子计算机的研究重点是容错纠错量子计算,但进展存在阻碍。这些障碍主要归因于与量子比特相互作用的原子级材料缺陷。该团队通过用强磁场EPR提供的固有高分辨率,结合核光谱技术来研究Al2O3(一种存在于所有现代超导量子处理器中的材料)上的特定表面自由基。研究揭示了自由基的复杂结构,即一个电子耦合到Al2O3晶格中的多个Al原子以及许多单独的氢原子核,这种表面缺陷的确切结构和形成化学与超导量子电路中的退相干有关。


这项研究是量子电路材料领域的重要进展,第一个为识别化学和结构上的缺陷提供了直接途径。


注:本文摘自国外相关研究报道,文章内容不代表本网站观点和立场,仅供参考。


知前沿,问智研。智研咨询是中国一流产业咨询机构,十数年持续深耕产业研究领域,提供深度产业研究报告、商业计划书、可行性研究报告及定制服务等一站式产业咨询服务。专业的角度、品质化的服务、敏锐的市场洞察力,专注于提供完善的产业解决方案,为您的投资决策赋能。


10000 10701

服务热线:

15881302747

地址:重庆市巴南区龙洲湾街道盛龙路1390号附7号
邮箱:service@izkkj.cn

Copyright © 2023 重庆中咔科技有限公司 版权所有
渝ICP备2024042891号,渝ICP备2024042891号-1,渝ICP备2024042891号-2,渝ICP备2024042891号-3,渝ICP备2024042891号-4,渝ICP备2024042891号-5